一、设备用途
本产品主要供大专院校、科研单位及生产企业在预真空后通入保护气氛条件下对半导体陶瓷基片(MCM的电子陶瓷材料衬底)进行烧结处理,也适用于陶瓷、金属材料的高温烧结处理。
二、主要技术参数:
1.电源功率:50KW
2.额定电压:380V 三相加热
3.最高温度:1900℃
4.工作区尺寸:Ф200×200
5.控温方式:热电偶及红外
6.极限真空度:20Pa
7.温度均匀性:±10℃
三、结构说明
本产品由炉盖、炉体、炉底及升降机构、加热元件、保温层、真空系统及电控系统、充气保护系统等组成。
炉盖、炉体及炉底均采用全不锈钢双层水冷结构,保持炉壳温度不超过60℃。炉底为升降式装料,加热元件为石墨。
真空系统采用一级泵直联式机械泵,炉体上设有充气及排气阀。
电控系统为标准西门子式样,控制柜面板上设有图形模拟屏,温度控制为美国品牌仪表,配有调压器及变压器。